[发明专利]基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的方法有效
申请号: | 201410090605.4 | 申请日: | 2014-03-12 |
公开(公告)号: | CN104051299B | 公开(公告)日: | 2019-01-25 |
发明(设计)人: | 赵庸真;高镛璿;金庆燮;金光秀;金石训;吴政玟;李根泽;张原浩;田溶明 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本公开提供了基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的方法。该基板处理系统可以包括构造为用超临界流体处理基板的处理装置以及构造为提供超临界流体到处理装置的供给装置。处理装置可以包括超临界工艺区和预超临界工艺区,在该超临界工艺区中基板用超临界流体处理,在预超临界工艺区中超临界流体膨胀然后被提供到超临界工艺区中以在超临界工艺区中产生超临界状态。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 系统 以及 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于处理基板的装置,该装置包括:工艺室,其底部被凹入以在其中形成凹陷,所述工艺室包括:预超临界工艺区,在其中接收超临界流体;超临界工艺区,与所述预超临界工艺区流体相通,所述超临界工艺区构造为能够利用所述超临界流体处理其中的基板;隔板,其被设置在所述凹陷上以覆盖所述凹陷;以及支撑所述隔板的多个支撑部分,所述多个支撑部分设置在所述凹陷外部,其中所述预超临界工艺区布置和构造为在所述超临界流体到达所述超临界工艺区之前允许所述超临界流体膨胀,其中所述预超临界工艺区和所述超临界工艺区由所述隔板彼此分开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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