[发明专利]半导体晶片、半导体工艺和半导体封装有效
| 申请号： | 201410091315.1 | 申请日： | 2014-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN104051392B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 王永辉 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体晶片、半导体封装和半导体工艺。所述半导体晶片包含衬底、至少一个金属片段和多个电介质层。所述半导体晶片被界定为多个裸片区域和多个沟槽区域，每一所述裸片区域具有集成电路，所述集成电路包含设置于所述电介质层之间的多个图案化金属层。所述沟槽区域设置于所述裸片区域之间，且所述至少一个金属片段设置于所述沟槽区域中并与所述裸片区域的所述集成电路绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 工艺 封装 | ||
【主权项】：
一种半导体封装，其包括：半导体裸片，其包括：衬底；多个电介质层，其设置于所述衬底上；集成电路，其包含设置于所述电介质层之间且彼此电性连接的多个图案化金属层；和至少一个金属片段，其与所述集成电路绝缘且从所述半导体裸片的侧表面暴露，其中所述至少一个金属片段设置于作为所述电介质层中的最底电介质层的电介质层上。
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