[发明专利]包含接触结构有形成于接触蚀刻中止层之侧壁上之保护层的半导体装置有效
| 申请号： | 201410092879.7 | 申请日： | 2014-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN104051333B | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | K·弗罗贝格;M·莱佩尔;K·赖歇 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及包含接触结构有形成于接触蚀刻中止层之侧壁上之保护层的半导体装置，在形成具有接触插塞的半导体装置时，其中该接触插塞包含形成于蚀刻中止层之侧壁上以减少短路风险之保护层，可藉由进行溅镀制程以从接触区移除材料以及再沉积被移除的该材料于该蚀刻中止层的该侧壁上，来形成该保护层。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 接触 结构 形成 蚀刻 中止 侧壁 保护层 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，包含：提供包含一接触区的一装置结构；形成一电介质蚀刻中止层于该接触区上面；形成一电介质层于该蚀刻中止层上面；蚀刻进入该电介质层的一开口；通过该开口蚀刻该蚀刻中止层以在该开口的底部暴露该接触区；以及进行一溅镀制程以从该接触区移除材料以及再沉积被移除的该材料于该开口的侧壁上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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