[发明专利]自旋阀磁电阻传感器材料结构在审

专利信息
申请号: 201410092923.4 申请日: 2014-03-12
公开(公告)号: CN103915563A 公开(公告)日: 2014-07-09
发明(设计)人: 周仕明;刘兹伟;顾云飞 申请(专利权)人: 盐城彤晖磁电有限公司
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;H01L43/10;G01R33/09
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 224100 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种使用成本低的自旋阀磁电阻传感器材料结构,包括:硅衬底层,设置在硅衬底层上的稀土材料(SmCo5)层,设置在稀土材料(SmCo5)层上的铁磁/Cu/铁磁三明治夹层。优点是:用稀土永磁材料替代传统反铁磁材料,充分利用了丰富的稀土资源,使用成本较低,同时保持较好的磁电阻效应,在室温附近很宽的温度范围内保持磁电阻效应基本不变。
搜索关键词: 自旋 磁电 传感器 材料 结构
【主权项】:
自旋阀磁电阻传感器材料结构,其特征在于:包括:硅衬底层(1),设置在硅衬底层(1)上的稀土材料(SmCo5)层(2),设置在稀土材料(SmCo5)层(2)上的铁磁/Cu/铁磁三明治夹层(3)。
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