[发明专利]自旋阀磁电阻传感器材料结构在审
申请号: | 201410092923.4 | 申请日: | 2014-03-12 |
公开(公告)号: | CN103915563A | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 周仕明;刘兹伟;顾云飞 | 申请(专利权)人: | 盐城彤晖磁电有限公司 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;H01L43/10;G01R33/09 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 224100 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种使用成本低的自旋阀磁电阻传感器材料结构,包括:硅衬底层,设置在硅衬底层上的稀土材料(SmCo5)层,设置在稀土材料(SmCo5)层上的铁磁/Cu/铁磁三明治夹层。优点是:用稀土永磁材料替代传统反铁磁材料,充分利用了丰富的稀土资源,使用成本较低,同时保持较好的磁电阻效应,在室温附近很宽的温度范围内保持磁电阻效应基本不变。 | ||
搜索关键词: | 自旋 磁电 传感器 材料 结构 | ||
【主权项】:
自旋阀磁电阻传感器材料结构,其特征在于:包括:硅衬底层(1),设置在硅衬底层(1)上的稀土材料(SmCo5)层(2),设置在稀土材料(SmCo5)层(2)上的铁磁/Cu/铁磁三明治夹层(3)。
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