[发明专利]非易失性存储器及其操作方法在审
| 申请号： | 201410097572.6 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN103871465A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/34 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种非易失性存储器，包括：衬底，所述衬底中具有漏极；浮栅，设置于所述漏极一侧的所述衬底上；控制栅，设置于所述浮栅上；阈值电压提供单元，与所述控制栅相连，所述阈值电压提供单元具有至少一柵漏连接的晶体管，所述阈值电压提供单元用于向所述控制栅提供所述至少一柵漏连接的晶体管的阈值电压。本发明还揭示了一种非易失性存储器的操作方法。当对所述非易失性存储器进行读取操作时，所述阈值电压提供单元向所述控制栅提供所述至少一柵漏连接的晶体管的阈值电压，所述柵漏连接的晶体管的阈值电压的变化正好可以补偿所述漏极与浮栅之间导通电压的变化，从而避免温度的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器，其特征在于，所述非易失性存储器包括：衬底，所述衬底中具有漏极；浮栅，设置于所述漏极一侧的所述衬底上；控制栅，设置于所述浮栅上；阈值电压提供单元，与所述控制栅相连，所述阈值电压提供单元具有至少一柵漏连接的晶体管，所述阈值电压提供单元用于向所述控制栅提供所述至少一柵漏连接的晶体管的阈值电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410097572.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：设置有磁性吸条的房门
- 下一篇：汽车遥控钥匙圆形LOGO安装定位结构
