[发明专利]一种嵌入式存储器修正的最优化方法有效

专利信息
申请号: 201410098554.X 申请日: 2014-03-17
公开(公告)号: CN103839596B 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 任栋梁;吴玮;桂伟;钱亮 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G11C29/44 分类号: G11C29/44
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 代理人: 郑玮
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种嵌入式存储器修正的最优化方法,包括对嵌入式存储器的电参数进行修正,确定档位范围;将确定的档位范围左右各减少一个档位。通过将档位范围左右各减少一档,提高电参数的数值集中程度,减少在规格值附近波动的数值,防止因设计、制造或者测试等因素造成的数值波动超出规格值的情况发生,以此提高器件性能的稳定性;同时并不需要重新对电参数进行测量,不会增加测试时间,从而在保证测试效率的基础上提高了性能的稳定性。
搜索关键词: 一种 嵌入式 存储器 修正 优化 方法
【主权项】:
一种嵌入式存储器修正的最优化方法,其特征在于,包括:对嵌入式存储器的电参数进行修正,确定档位范围;其中电参数修正之后的数值呈正态分布;将确定的档位范围左右各减少一个档位。
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