[发明专利]半导体装置制造时的低热预算方案有效
| 申请号： | 201410098728.2 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN104051237B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | N·萨赛特;J·亨治尔;T·巴尔策;R·严;A·扎卡 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置制造时的低热预算方案，在本发明的态样中，揭露的是形成半导体装置的方法，其中非晶区是形成于制造期间的早期阶段，并且非晶区是保存于后续处理过程顺序期间，以及具有非晶区的中间半导体装置结构是设于制造期间的早期阶段。本文中，栅极结构是设于半导体基底上方，并且非晶区是毗连栅极结构而成。源极/漏极扩展区或源极/漏极区是在非晶区中形成。在一些描述性具体实施例中，可将氟植入非晶区内。在形成源极/漏极扩展区及/或源极/漏极区后，进行快速热退火程序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 低热 预算 方案 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，其包括：在半导体基底上方提供栅极结构；进行用于形成毗连该栅极结构的非晶区的预非晶化布植程序；进行用于在所述非晶区中完整地形成源极/漏极扩展区的第一布植程序；进行用于在所述非晶区中完整地形成源极/漏极区的第二布植程序；以及在形成所述源极/漏极区之后进行快速热退火程序，其中，在提供该栅极结构与进行该快速热退火程序之间进行的处理步骤都不具有大于450℃的温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
