[发明专利]一种用于干法刻蚀的承载装置及干法刻蚀装置有效
| 申请号： | 201410098750.7 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN103913876B | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 梁魁;陈曦;封宾;袁剑峰 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1333 | 分类号： | G02F1/1333 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及到液晶显示装置生产的技术领域，公开了一种用于干法刻蚀的承载装置及干法刻蚀装置。该承载装置包括基台；设置于所述基台并用于支撑基板的多个干刻电极；套装于每个干刻电极并将所述干刻电极与所述基板隔离的保护膜，且所述保护膜的韦氏硬度低于所述基板的韦氏硬度。在上述技术方案中，基板直接与保护膜接触，由于保护膜的韦氏硬度低于基板的韦氏硬度，因此，在基板与保护膜之间出现滑动时，保护膜不会划伤基板，提高了基板在刻蚀时的安全性，降低了刻蚀后的不良率，进而提高了基板刻蚀后的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 刻蚀 承载 装置 | ||
【主权项】：
一种用于干法刻蚀的承载装置，其特征在于，包括：基台；所述基台上设置有通气孔；设置于所述基台并用于支撑基板的多个干刻电极；套装于每个干刻电极并将所述干刻电极与所述基板隔离的保护膜，且所述保护膜的韦氏硬度低于所述基板的韦氏硬度；在所述保护膜与所述基板接触时，所述保护膜与所述基板的接触面积的直径在0.3mm～0.5mm之间。
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