[发明专利]具有模塑通孔的半导体器件有效
申请号: | 201410101723.0 | 申请日: | 2014-03-18 |
公开(公告)号: | CN104716050B | 公开(公告)日: | 2018-02-27 |
发明(设计)人: | 郑钧文;彭荣辉;蔡尚颖;蔡宏佳;邓伊筌 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/28 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了一种形成具有模塑通孔的半导体器件的方法,该方法包括共晶接合覆盖晶圆和基底晶圆以形成晶圆封装件。基底晶圆包括第一芯片封装件部分、第二芯片封装件部分和第三芯片封装件部分。覆盖晶圆包括多个隔离沟槽和多个分离沟槽,相对于覆盖晶圆的相同表面,分离沟槽的深度比隔离沟槽的深度更大。该方法也包括去除覆盖晶圆的一部分以暴露第一芯片封装件部分接触件、第二芯片封装件部分接触件和第三芯片封装件部分接触件。该方法还包括分离晶圆封装件以将晶圆封装件分离成第一芯片封装件、第二芯片封装件和第三芯片封装件。本发明还提供具有模塑通孔的半导体器件。 | ||
搜索关键词: | 具有 模塑通孔 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种形成半导体器件的方法,包括:共晶接合覆盖晶圆和基底晶圆以形成晶圆封装件,其中,所述基底晶圆包括第一芯片封装件部分、第二芯片封装件部分和第三芯片封装件部分,以及所述覆盖晶圆包括多个隔离沟槽,所述多个隔离沟槽配置为与所述第一芯片封装件部分、所述第二芯片封装件部分和所述第三芯片封装件部分中的一个的相应的沟槽区对准,所述覆盖晶圆还包括多个分离沟槽,相对于所述覆盖晶圆的相同表面,所述多个分离沟槽的深度比所述多个隔离沟槽的隔离沟槽的深度更大;去除所述覆盖晶圆的一部分以暴露第一芯片封装件部分接触件、第二芯片封装件部分接触件和第三芯片封装件部分接触件,所述第一芯片封装件部分接触件、所述第二芯片封装件部分接触件和所述第三芯片封装件部分接触件与所述多个分离沟槽的相应的分离沟槽对准;分离所述晶圆封装件以将所述晶圆封装件分离成配置以实施第一操作的第一芯片封装件、配置以实施第二操作的第二芯片封装件和配置以实施第三操作的第三芯片封装件,所述第一芯片封装件包括所述第一芯片封装件部分,所述第二芯片封装件包括所述第二芯片封装件部分,并且所述第三芯片封装件包括所述第三芯片封装件部分;以及将所述第一芯片封装件、所述第二芯片封装件和所述第三芯片封装件放置在衬底上;使用模塑料将所述第一芯片封装件、所述第二芯片封装件和所述第三芯片封装件接合在一起;形成穿过所述模塑料的多个模塑通孔,所述多个模塑通孔暴露所述第一芯片封装件部分接触件、所述第二芯片封装件部分接触件和所述第三芯片封装件部分接触件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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