[发明专利]一种形成侧墙氧化硅保护层的方法在审
| 申请号： | 201410102237.0 | 申请日： | 2014-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN103871859A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 洪齐元;黄海 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体集成电路的制造领域，尤其涉及一种形成侧墙氧化硅保护层的方法。一种形成侧墙氧化硅保护层的方法，包括以下步骤：步骤一，提供一半导体结构；步骤二，利用具有多个缝隙的平面天线将微波导入等离子腔室中，使氧气相对于氩气体积比为1%～5%进行供给，在等离子体腔室内产生氧气和氩气的等离子体，利用所述氧气和氩气的等离子体对所述半导体结构实施等离子体氧化，在所述半导体结构的表面形成侧墙氧化膜层。采用本发明的技术方案，不仅沉积的所述侧墙二氧化硅氧化层均匀性好，而且沉积温度远远低于普通炉管需要的800～1100℃，尤其满足了65纳米工艺及其以下工艺时，对二氧化硅薄膜的低温沉积制程的要求，有效提高了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 氧化 保护层 方法 | ||
【主权项】：
一种形成侧墙氧化硅保护层的方法，包括以下步骤：步骤一，提供一半导体结构；步骤二，利用具有多个缝隙的平面天线将微波导入等离子腔室中，使氧气相对于氩气体积比为1%～5%进行供给，在等离子体腔室内产生氧气和氩气的等离子体，利用所述氧气和氩气的等离子体对所述半导体结构实施等离子体氧化，在所述半导体结构的表面形成侧墙氧化膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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