[发明专利]用于设计Fin-FET半导体器件的方法和系统有效
| 申请号： | 201410102932.7 | 申请日： | 2014-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN104600115B | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 傅宗民;卢永峰;王中兴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种方法，包括提供包含代表电路元件的多个单元的半导体器件的第一布局以及在处理器中提供包含多个单元的单元库。电路元件包括多个鳍式场效应晶体管（Fin‑FET）。单元库中多个单元的每个都被标示上不同的标记以代表相应的鳍高度。方法还包括通过在第一布局中的相应位置处放置或替换为来自单元库的至少一个单元，生成用于要被制造的半导体器件的第二布局。来自单元库的至少一个单元包括具有与第二布局中的相邻Fin‑FET不同的相应鳍高度的Fin‑FET。本发明还提供了用于设计Fin‑FET半导体器件的方法和系统。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 单元库 电路元件 鳍式场效应晶体管 位置处 处理器 标示 替换 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于生成半导体器件的设计的方法，包括：提供包括代表电路元件的多个单元的半导体器件的第一布局，所述电路元件包括多个鳍式场效应晶体管(Fin‑FET)；在处理器中提供包括多个单元的单元库，其中，所述单元库中的多个单元的每个单元都分别被标示上不同的标记以代表相应的鳍高度；以及通过在所述半导体器件的第一布局中的相应位置处放置或替换为来自所述单元库的至少一个单元，在所述处理器中生成用于要被制造的半导体器件的第二布局，其中，替换所述第一布局中相应位置的步骤还包括：识别所述半导体器件的至少一条关键路径；分析所述至少一条关键路径的性能参数；以及改变所述至少一条关键路径中的至少一个单元以满足用于所述半导体器件的性能规范组；其中，来自所述单元库的至少一个单元包括具有与所述半导体器件的第二布局中的相邻鳍式场效应晶体管不同的相应鳍高度的鳍式场效应晶体管。
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