[发明专利]浅沟槽的制作方法及存储器件的制作方法

摘要

本申请提供了一种浅沟槽的制作方法及存储器件的制作方法。其中浅沟槽的制作方法包括将衬底划分为第一区域和第二区域；在第二区域欲形成浅沟槽的位置上形成第一可牺牲材料层；以及同时对第一可牺牲材料层和衬底进行刻蚀，在第一区域形成第一浅沟槽，在第二区域中对应于第一可牺牲材料层的位置上形成第二浅沟槽。该制作方法通过在第二区域的待刻蚀部位相应设置第一可牺牲材料层，使刻蚀第二区域形成的第二浅沟槽的深度小于刻蚀第一区域形成的第一浅沟槽的深度。同时仅通过一次光刻、掩膜对准，以及通过刻蚀第一区域和第二区域的工艺就形成了不同深度的浅沟槽，从而简化了现有工艺，降低了生产成本，并且所形成的浅沟槽对准精度得到提高。

主权项

一种浅沟槽的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：将衬底划分为第一区域和第二区域；在所述第二区域欲形成浅沟槽的位置上形成第一可牺牲材料层；以及同时对所述第一可牺牲材料层和所述衬底进行刻蚀，在所述第一区域形成第一浅沟槽，在所述第二区域中对应于第一可牺牲材料层的位置上形成第二浅沟槽，所述制作方法还包括：在形成所述第一可牺牲材料层之前，在所述衬底上形成具有第一开口和第二开口的保护层，所述第一开口对应于所述第一区域中欲形成第一浅沟槽的位置，所述第二开口对应于所述第二区域中欲形成第二浅沟槽的位置；在所述形成第一可牺牲材料层的步骤中，所述第一可牺牲材料层形成于所述第二开口的侧壁上且未填满所述第二开口；或者所述制作方法中，在形成所述第一可牺牲材料层前还包括：在所述第一区域中对应于所述第一浅沟槽的位置形成第一预浅沟槽的步骤，以及在所述第二区域中对应于所述第二浅沟槽的位置形成第二预浅沟槽的步骤，所述第一可牺牲材料层形成在所述第二预浅沟槽的内壁上。