[发明专利]串行与非式闪存存储器及其内建可变式坏区的管理方法有效
| 申请号： | 201410104475.5 | 申请日： | 2014-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN104932831B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 陈敏修;麦克·欧伦 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G06F12/02 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 张然,李昕巍 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种串行与非式闪存存储器及其内建可变式坏区的管理方法。闪存存储器的管理方法包括设置地址对应表，其中，地址对应表具有初始对应记录以记录多个逻辑地址与多个实体位置间的对应关系；并且，接收锁定解除命令，以依据锁定解除命令以接收抹除信号来抹除初始对应记录中的至少一部分；另外，接收更新数据并将更新数据写至被抹除的初始对应记录的部分以获得更新对应记录。 | ||
| 搜索关键词： | 串行 闪存 存储器 其内 可变 式坏区 管理 方法 | ||
【主权项】：
一种内建与非式闪存存储器的内建可变式坏区的管理方法，包括：设置一地址对应表，该地址对应表具有一初始对应记录以记录多个逻辑地址与多个实体位置间的对应关系；接收一锁定解除命令；依据该锁定解除命令以接收一抹除信号以抹除该初始对应记录中的至少一部分；以及接收一更新数据并写入该更新数据至被抹除的该初始对应记录的部分以获得一更新对应记录。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华邦电子股份有限公司，未经华邦电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410104475.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
