[发明专利]一种场效应晶体管的制备方法无效
| 申请号： | 201410106643.4 | 申请日： | 2014-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103887341A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 高剑琴 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场效应晶体管的制备方法，涉及半导体制备技术领域。该方法在一衬底上以刻蚀工艺形成U型源漏区；以氢氧化钾溶液对所述源漏区进行腐蚀；采用酸液体对所述源漏区表面的自然氧化层进行清洗；以外延生长工艺于所述源漏区内形成缓冲层。本发明采用KOH溶液对U型源漏区进行短暂腐蚀，根据KOH溶液对硅片各向异性的腐蚀特点，使侧壁晶向的腐蚀程度大于底部晶向的腐蚀，为缓冲层在侧壁晶向上生长前提供更多晶核，提高侧壁缓冲层的生长速度，从而用来平衡缓冲层因晶向各异导致的沉积厚度不同问题，降低了侧壁外延生长缺陷，避免了由于源漏区高浓度掺杂物扩散到沟道处漏电现象，使场效应晶体管性能提升得以保证。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤1.在一衬底上以刻蚀工艺形成U型源漏区；步骤2.以氢氧化钾溶液对所述源漏区进行腐蚀；步骤3.采用酸液体对所述源漏区表面的自然氧化层进行清洗；步骤4.以外延生长工艺于所述源漏区内形成缓冲层。
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