[发明专利]一种半导体器件的击穿电压TCAD仿真方法在审
| 申请号： | 201410109732.4 | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN103870651A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 顾经纶 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的击穿电压TCAD仿真方法，利用定义阻性接触的方法，可以很好地解决由于电学边界条件设置导致的不收敛，使低压区能够平滑过渡到雪崩击穿区，能够仿真电流回滞现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 击穿 电压 tcad 仿真 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的击穿电压TCAD仿真方法，其特征在于，包括：根据器件性能要求在TCAD平台中选取最佳的器件参数来创建器件仿真模型；在所述器件仿真模型的电压扫描端定义一接触电阻，并在该电压扫描端施加扫描电压，开始击穿电压TCAD仿真，得到收敛的I‑V仿真曲线。进一步的，根据器件性能要求在TCAD平台中选取最佳的器件参数来创建器件仿真模型，包括：根据器件性能要求确定器件的结构及结构参数；根据所述器件的结构及结构参数确定工艺条件和工艺步骤，生成所述器件仿真模型。
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