[发明专利]一种铬板制造工艺中残余点的处理方法在审

专利信息
申请号: 201410110349.0 申请日: 2014-03-24
公开(公告)号: CN103869610A 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: 陈翻;范利康 申请(专利权)人: 武汉正源高理光学有限公司
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00;G03F7/20
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 代理人: 张瑾
地址: 430223 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种铬板制造工艺中残余点的处理方法,其包括的步骤:一是基片清洗;二是溅射镀膜;三是一次光刻,在玻璃基片表面均匀地涂覆一层正型感光材料,通过掩膜曝光将图形复制到铬膜层上面;四是二次光刻,在复制有图形的铬膜层上再次涂覆正型感光材料,通过对准掩膜版上预先设计的标记对准进行二次曝光,将第二张掩膜图形复制到铬膜层上,然后对其整板进行蚀刻,藉此二次光刻去除第一次光刻留下的残余点,藉由前述结构或其构造的结合,实现了该处理方法,从而达成了可在较低的环境洁净度下彻底清除阳区中的小岛缺陷,且可批量生产以及保证品质的良好效果。
搜索关键词: 一种 制造 工艺 残余 处理 方法
【主权项】:
一种铬板制造工艺中残余点的处理方法,其特征在于:该方法包括:步骤一,基片清洗:将玻璃基片表面清洗干净;步骤二,溅射镀膜:在玻璃基片表面镀上一层不透光的铬膜层及氧化铬抗反射涂层;步骤三,一次光刻:在玻璃基片表面均匀地涂覆一层正型感光材料,通过掩膜曝光,将图形复制到铬膜层上面;步骤四,二次光刻:承接步骤三,在复制有图形的铬膜层上再次涂覆正型感光材料,通过对准掩膜版上预先设计的标记对准进行二次曝光,将第二张掩膜图形复制到铬膜层上,然后对其整板进行蚀刻,藉此二次光刻去除第一次光刻留下的残余点。
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