[发明专利]直列式热处理装置在审
申请号: | 201410114532.8 | 申请日: | 2014-03-25 |
公开(公告)号: | CN104078384A | 公开(公告)日: | 2014-10-01 |
发明(设计)人: | 李炳一;吴弘绿;赵炳镐 | 申请(专利权)人: | 泰拉半导体株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 姜虎;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及直列式热处理装置。本发明的直列式热处理装置的特征在于,具备:多个加热炉(110a、120a、130a、140a、150a),连续地配置,并且分别提供对基板(50)进行热处理的空间;基板搬运部(370),设置在各个加热炉(110a、120a、130a、140a、150a)的内部,用于搬运基板(50);以及多个加热器(200),设置在各个加热炉(110a、120a、130a、140a、150a)中,在与基板(50)的搬运方向垂直的方向上隔着规定的间隔贯通各个加热炉(110a、120a、130a、140a、150a),用于对基板(50)进行升温。 | ||
搜索关键词: | 直列式 热处理 装置 | ||
【主权项】:
一种直列式热处理装置,其特征在于,具备:多个加热炉,连续地配置,并且分别提供对基板进行热处理的空间;基板搬运部,设置在各个所述加热炉的内部,用于搬运所述基板;以及多个加热器,设置在各个所述加热炉中,并且,在与所述基板的搬运方向垂直的方向上隔着规定的间隔贯通各个所述加热炉,用于对所述基板进行升温。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造