[发明专利]一种硅片电学测试的早期侦测系统及方法有效
| 申请号： | 201410115031.1 | 申请日： | 2014-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN104952750B | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 包巧霞;余志贤 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅片电学测试的早期侦测系统及方法，所述早期侦测系统包括数据采集模块，用于采集硅片电学测试数据，并基于所述测试数据确定出正常硅片及异常硅片；制造路径获取模块，用于获取各该正常硅片及各该异常硅片在工艺机台矩阵中的制造路径；计算模块，用于依据所述制造路径计算出工艺机台矩阵中各个工艺机台的正常硅片通过率及异常硅片通过率；制造路径生成模块，用于依据所述正常硅片通过率及异常硅片通过率生成硅片合适的制造路径。采用本发明的硅片电学测试的早期侦测系统及方法能够自动选择没有异常的制造路径，同时禁用掉表现不好的工艺机台，解决了工艺整合工程师的人工检查的不及时性，并节约了分析数据的时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 电学 测试 早期 侦测 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种硅片电学测试的早期侦测系统，其特征在于，包括：数据采集模块，用于采集硅片电学测试数据，并基于所述测试数据确定出正常硅片及异常硅片；制造路径获取模块，用于获取各该正常硅片及各该异常硅片在工艺机台矩阵中的制造路径；计算模块，用于依据所述制造路径计算出工艺机台矩阵中各个工艺机台的正常硅片通过率及异常硅片通过率；制造路径生成模块，用于依据所述正常硅片通过率及异常硅片通过率生成硅片合适的制造路径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
