[发明专利]用于单端eDRAM感测放大器的方法和半导体器件

摘要

本申请涉及用于单端eDRAM感测放大器的方法和半导体器件。更具体而言，涉及用于单端eDRAM感测放大器的信号裕度居中的设备和方法。多个DRAM单元通过第一位线连接到多路复用器的输入侧。单端感测放大器通过第二位线连接到多路复用器的输出侧。单端感测放大器具有转换电压。第二位线被预充电到选定的电压电平。多路复用器将来自多个DRAM单元中的选定一个的信号电压传递到第二位线。选定的电压电平被选择成使得第一类型的信号电压的接收在第一方向上调节第二位线的电压，而第二类型的信号电压的接收在与第一方向相反的第二方向上调节第二位线的电压，从而使信号电压以转换电压为中心。

主权项

一种方法，包括：将第一位线预充电到第一电压电平，多个动态随机存取存储器（DRAM）单元通过所述第一位线可操作地连接到多路复用器器件的输入侧；将第二位线预充电到第二电压电平，感测器件通过所述第二位线可操作地连接到所述多路复用器器件的输出侧，所述感测器件具有转换电压并包括：以反相器结构布置的一对晶体管；和可操作地连接到所述一对晶体管的读取使能晶体管，所述读取使能晶体管连接到第三电压电平；选择所述第二电压电平，使得第一类型的信号电压的接收在第一方向上调节所述第二位线的电压，而第二类型的所述信号电压的接收在与所述第一方向相反的第二方向上调节所述第二位线的所述电压，所述第二电压使所述信号电压以所述转换电压为中心，所述第一电压电平、所述第二电压电平和所述第三电压电平是不同的电压；以及使用所述多路复用器，将来自所述多个DRAM单元中的选定一个的所述信号电压通过所述第一位线传递到所述第二位线。