[发明专利]利用叠片结构提高聚变堆内壁耐等离子体辐照性能的方法有效
申请号: | 201410117811.X | 申请日: | 2014-03-26 |
公开(公告)号: | CN103886919A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 王波;胡德志;马栋;吕广宏 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | G21B1/13 | 分类号: | G21B1/13 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 刘萍 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 利用叠片结构提高聚变堆内壁耐等离子体辐照性能的方法属于核能应用领域,适用于采用氢同位素进行聚变反应装置中内壁上的面向等离子体表面。将面对等离子体的材料制成多片金属薄片,然后将多片金属薄片按照垂直于壁表面的方向叠压在一起,再与铜基体复合在一起。这种方法不仅可以有效降低氢、氦及其同位素等在钨基材料表层下面的聚集,大大降低其表面的起泡现象,同时还能减轻热疲劳裂纹损伤。 | ||
搜索关键词: | 利用 结构 提高 聚变 内壁 等离子体 辐照 性能 方法 | ||
【主权项】:
一种提高聚变堆内壁耐等离子体辐照性能的结构,其特征在于:在等离子体和铜基体之间存在多片金属薄片,所述多片金属薄片按照垂直于壁表面的方向叠压在一起,再与铜基体复合在一起。
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