[发明专利]硅部件及硅部件的制造方法有效
| 申请号： | 201410119659.9 | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104078385B | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 中田嘉信 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;宋志强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种即使在受热环境下使用时也能够抑制龟裂的产生的硅部件及硅部件的制造方法。本发明的硅部件（10），其在受热环境下使用，其特征在于，具有覆盖表面的涂布层（11），涂布层（11）由通过使表面的硅反应而形成的硅反应物构成，该涂布层（11）的厚度在15nm以上600nm以下。其中，涂布层优选为硅氧化膜或氮化硅膜。 | ||
| 搜索关键词： | 硅部件 涂布层 受热环境 氮化硅膜 覆盖表面 硅氧化膜 反应物 龟裂 优选 制造 | ||
【主权项】：
1.一种硅部件，其在受热环境下使用，其特征在于，具有覆盖含有伤痕或微裂纹的表面的涂布层，所述涂布层由通过使表面的硅反应而形成的硅反应物构成，该涂布层的厚度在15nm以上600nm以下，所述硅部件为如下尺寸的大型板材：宽度W:500mm以上×长度L:500mm以上，所述伤痕或微裂纹在形成所述涂布层的过程中消失，所述涂布层向所述大型板材的内部侧生长，所述大型板材的表面的算术平均粗糙度Ra为0.3nm以上0.8nm以下，四点弯曲试验的最大荷载为195MPa以上212MPa以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
