[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 201410122616.6 | 申请日: | 2014-03-28 |
公开(公告)号: | CN104078326B | 公开(公告)日: | 2017-10-10 |
发明(设计)人: | 小林健司;泉本贤治;岩﨑晃久;三浦丈苗;西东和英 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 宋晓宝,郭晓东 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及处理基板的基板处理装置及基板处理方法,实现在适当进行基板的清洗的同时抑制基板带电。该装置具有基板支撑部,支撑水平状态的基板;上部喷嘴,向基板的上表面的中央部喷射作为清洗液的纯水;基板旋转机构,使基板支撑部与基板一起以朝向上下方向的中心轴为中心旋转。在上部喷嘴的底面设置有喷射纯水的多个喷射口。多个喷射口包括中心喷射口,配置在中央;多个周边喷射口,在中心喷射口的周围以等角度间隔地配置在以中心轴为中心的圆周上。在该装置中,在上部喷嘴设置有多个喷射口,减小从各喷射口喷射的纯水的流量,确保从上部喷嘴向基板的中央部供给的纯水的流量。由此,能够抑制在基板的中央部的带电并适当清洗基板的上表面。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,用于处理基板,其特征在于,具有:基板支撑部,支撑水平状态的基板;喷嘴,从多个喷射口向所述基板的上表面的中央部喷射作为清洗液的纯水;基板旋转机构,使所述基板支撑部与所述基板一起以朝向上下方向的中心轴为中心旋转,所述多个喷射口配置在以所述中心轴为中心且半径小于等于所述基板的半径的40%的圆内,所述基板的所述上表面的所述中央部是以所述中心轴为中心且半径小于等于所述基板的半径的40%的圆,不从所述多个喷射口向所述基板的所述上表面的除了所述中央部之外的区域喷射所述清洗液,所述基板处理装置除了所述喷嘴以外不具有向所述基板的所述上表面喷射所述清洗液的单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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