[发明专利]一种集成电路用RC触发式ESD保护电路

摘要

一种集成电路用RC触发式ESD保护电路，属于电子技术领域。本发明通过由第一PMOS管的开启电阻和电容组成的RC触发电路的延迟作用，开启了第二PMOS管303，通过电阻305的电流拉升了电位点307的电位，从而开启NMOS管304并降低电位点307的电位，NMOS管303与第二PMOS管303形成正反馈，保证电位点307为高电位，以驱动衬底触发SCR器件104。本发明提供的集成电路用RC触发式ESD保护电路，其中电容的大小只需要5fF，相对于传统触发电路的pF级的电容小了很多，版图面积随之减小的同时，漏电流也随之减小。

主权项

一种集成电路用RC触发式ESD保护电路，包括：RC触发电路（103）和衬底触发的SCR器件（104）；触发电路（103）包括一个电阻（305）、一个电容（302）、两个PMOS管（301和303）、一个NMOS管（304）；第一PMOS管（301）的源极接VDD电源线（101），其漏极通过电容（302）接VSS电源线（102），其栅极接第二PMOS管（303）的漏极和NMOS管（304）的栅极；第一PMOS管（301）的漏极和电容（302）的连接点（306）接第二PMOS管（303）的栅极和NMOS管（304）的漏极；第二PMOS管（303）的源极接VDD电源线（101），NMOS管（304）的源极接VSS电源线（102）；第二PMOS管（303）的漏极通过电阻（305）接VSS电源线（102），第二PMOS管（303）的漏极和电阻（305）的连接点（307）接衬底触发的SCR器件（104）的P+触发区；衬底触发的SCR器件（104）的高电位P+区接VDD电源线（101），衬底触发的SCR器件（104）的低电位N+区接VSS电源线（102）。