[发明专利]一种基于半浮栅的双管增益存储器器件结构

摘要

本发明涉及一种半导体器件结构，尤其涉及一种基于半浮栅的双管增益存储器器件结构，该存储器器件结构包括一SOI晶圆，且在所述SOI晶圆中的半导体层中还制备有多个存储器单元，每个存储器单元包括位于半导体层中的相互绝缘隔离的一个存储管和一个选通管，且所述存储管的栅极与所述选通管的源极电性连接，构成一双管增益单元结构；其中，所述存储器单元中设置有存储管区和选通管区，所述存储管包括一个半浮栅结构，从存储管区延伸到选通管区并籍由半浮栅结构电性接触选通管的源极。本发明中的存储器器件结构节省了存储器器件单元面积和金属互连所占的面积，并使得保持时间增加，漏电流减小，RC延迟减少，功耗明显降低。

主权项

一种基于半浮栅的双管增益存储器器件结构，其特征在于，所述存储器器件结构包括：一SOI晶圆，包括底部衬底和位于底部衬底之上的掩埋层及包括掩埋层上方的半导体层，且在所述半导体层中还制备有多个存储器单元，每个存储器单元包括位于所述半导体层中的相互绝缘隔离的一个存储管和一个选通管，且所述存储管的栅极与所述选通管的源极电性连接，构成一双管增益单元结构；其中，所述存储器单元中设置有存储管区和选通管区，所述存储管包括一个半浮栅结构，从所述存储管区延伸到所述选通管区并籍由半浮栅结构电性接触选通管的源极。