[发明专利]半导体结构与静电放电防护电路

摘要

本发明公开了一种半导体结构及静电放电防护电路。半导体结构包括一装置结构，包括一第一阱区、一第二阱区、一源极、一漏极、一延伸掺杂区、与一栅极。第二阱区具有相反于第一阱区的导电型。漏极具有与源极相同的导电型。源极与漏极分别形成在第一阱区与第二阱区中。延伸掺杂区邻接漏区并延伸至漏极的下方，且具有与漏极相同的导电型。栅极配置在第一阱区上。

主权项

一种半导体结构，包括一装置结构，包括：一第一阱区；一第二阱区，具有相反于该第一阱区的导电型；一源极；一漏极，具有与该源极相同的导电型，该源极与该漏极分别形成在该第一阱区与该第二阱区中；一延伸掺杂区，邻接该漏极并延伸至该漏极的下方，且具有与该漏极相同的导电型；以及一栅极，配置在该第一阱区上；其中，该栅极包括栅介电质与形成在栅介电质上的栅电极，栅介电质包括邻近源极的较薄介电部分与邻近漏极的较厚介电部分，该延伸掺杂区的下表面是位于该栅介电质的下表面下方。