[发明专利]可挠式元件及其制造方法无效
申请号: | 201410130932.8 | 申请日: | 2014-04-02 |
公开(公告)号: | CN104576971A | 公开(公告)日: | 2015-04-29 |
发明(设计)人: | 王冠仁;陈承义;赖台晏;林祺臻;蔡建民 | 申请(专利权)人: | 胜华科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;G02F1/167;G02F1/13;G02B26/02 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种可挠式元件及其制造方法,可挠式元件包括一第一可挠式基板、一缓冲层及一电子元件。缓冲层配置在第一可挠式基板上。电子元件配置在缓冲层上。本发明还提供的可挠式元件的制造方法,包括下列步骤,首先,提供一硬质基板。接着,形成一离型层在硬质基板上。再来,形成一缓冲层在离型层上。其后,形成一电子元件在缓冲层上。再来,通过离型层将缓冲层以及电子元件自硬质基板上分离。最后,将一第一可挠式基板形成缓冲层以及电子元件上,其中缓冲层位于电子元件与第一可挠式基板之间。 | ||
搜索关键词: | 可挠式 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种可挠式元件的制造方法,其特征在于,包括:提供硬质基板;形成离型层在该硬质基板上;形成缓冲层在该离型层上;形成电子元件在该缓冲层上;通过该离型层将该缓冲层以及该电子元件自该硬质基板上分离;以及将第一可挠式基板形成在该缓冲层以及该电子元件上,其中该缓冲层位于该电子元件与该第一可挠式基板之间。
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