[发明专利]一种光刻返工去胶方法及其半导体形成方法有效
| 申请号： | 201410131620.9 | 申请日： | 2014-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN104977820B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 周耀辉 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/311 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光刻返工去胶方法及其半导体形成方法。其中，包括:A、提供一需要返工去除光刻胶的半导体，所述半导体上具有钝化保护层，所述钝化层上具有光刻胶层；B、通过预设温度条件,对所述半导体表面进行干法去除光刻胶；C、对经过干法去除光刻胶的半导体表面进行酸液清洗，以清洗掉进行干法去除光刻胶时所述钝化保护层表面形成的氧化层；D、对经过酸液清洗的半导体表面进行湿法去除剩余光刻胶。本发明具有方法简便、节省成本和返工的半导体线宽差异低于10%的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 返工 方法 及其 半导体 形成 | ||
【主权项】：
1.一种光刻返工去胶方法，其特征在于，包括:/nA、提供一需要返工去除光刻胶的半导体，所述半导体上具有钝化保护层，所述钝化层上具有光刻胶层；/nB、通过预设温度条件,对所述半导体表面进行干法去除光刻胶，所述预设温度为110摄氏度，以减少所述钝化保护层表面的氧化层的形成；/nC、对经过干法去除光刻胶的半导体表面进行酸液清洗，以清洗掉进行干法去除光刻胶时所述钝化保护层表面形成的氧化层，所述钝化保护层为SiN层,所述酸液清洗的时间小于5秒；/nD、对经过酸液清洗的半导体表面进行湿法去除剩余光刻胶。/n
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