[发明专利]磁记录介质和磁存储装置有效
| 申请号： | 201410132213.X | 申请日： | 2014-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN104103290B | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 张磊;神边哲也;村上雄二;丹羽和也 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 刘瑞东,段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种磁记录介质，包含基板；在所述基板上形成的多个底层；及在所述多个底层上形成的磁性层。其中，所述磁性层的主成分是具有Ｌ10结构的合金；所述多个底层中的至少1层是含有Ｗ的结晶质底层；所述Ｗ是所述结晶质底层的主成分；所述结晶质底层还包含从Ｂ、Ｓｉ、及Ｃ中所选择的1种以上的元素，该元素的含有量为1ｍｏｌ％以上、20ｍｏｌ％以下；及在所述结晶质底层和所述磁性层之间形成了阻挡层，该阻挡层包含具有ＮａＣｌ结构的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种磁记录介质，包含：基板；在所述基板上形成的多个底层；在所述多个底层上形成的磁性层；及密排方向控制底层，其包含从Cr、以Cr为主成分的BCC结构的合金及具有B2结构的合金中所选择的1种以上的金属，其中，所述磁性层的主成分是(001)密排方向的具有L10结构的合金；所述多个底层中的至少1层是含有W的结晶质底层；所述W是所述结晶质底层的主成分；所述结晶质底层还包含1mol％以上、20mol％以下的从B、Si及C中所选择的1种以上的元素，及在所述结晶质底层和所述磁性层之间形成了阻挡层，该阻挡层包含具有NaCl结构的材料，所述结晶质底层形成在所述密排方向控制底层上。
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