[发明专利]图形修正方法在审
| 申请号： | 201410133561.9 | 申请日： | 2014-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN104977798A | 公开（公告）日： | 2015-10-14 |
| 发明（设计）人： | 赵简;王杭萍 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种图形修正方法，包括：提供初始图形，所述初始图形包括若干接触孔图形和若干互连线图形，所述接触孔图形与互连线图形重叠，所述接触孔图形为矩形，所述接触孔图形垂直于互连线图形的边长为第一边长，平行于互连线图形的边长为第二边长；判断所述待修正接触孔图形位于密集区或孤立区；当所述待修正接触孔图形位于孤立区时，对所述待修正接触孔图形进行第一图形变化，使所述待修正接触孔图形的第一边长和第二边长增大；当所述待修正接触孔图形位于密集区时，对所述待修正接触孔图形进行第二图形变化，使所述待修正接触孔图形的第二边长增大，且第一边长小于第二边长。以修正后图形形成的导电结构性能改善。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 修正 方法 | ||
【主权项】：
一种图形修正方法，其特征在于，包括：提供初始图形，所述初始图形包括若干接触孔图形和若干互连线图形，所述接触孔图形与互连线图形重叠，所述接触孔图形为矩形，所述接触孔图形垂直于互连线图形的边长为第一边长，平行于互连线图形的边长为第二边长；判断所述待修正接触孔图形位于密集区或孤立区；当所述待修正接触孔图形位于孤立区时，对所述待修正接触孔图形进行第一图形变化，使所述待修正接触孔图形的第一边长和第二边长增大；当所述待修正接触孔图形位于密集区时，对所述待修正接触孔图形进行第二图形变化，使所述待修正接触孔图形的第二边长增大，且第一边长小于第二边长。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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