[发明专利]一种鳍型半导体结构及其成型方法有效
| 申请号： | 201410135438.0 | 申请日： | 2014-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN103915504B | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 李迪 | 申请（专利权）人： | 唐棕 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙)11442 | 代理人： | 马佑平 |
| 地址： | 421002 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够有效控制源漏区之间漏电流、提高栅极控制能力的鳍型半导体结构。所述鳍型半导体结构包括具有下部衬底和鳍片部的鳍型衬底，形成在鳍片部上的源区和漏区，形成在所述源漏区之间横跨在鳍片部上的栅极结构，形成在所述鳍片部两侧且位于栅极结构下方的浅沟道隔离，以及形成在所述鳍片部中的隔离区。其中，隔离区可以基本位于源区下方；和/或基本位于漏区下方；和/或基本位于栅极结构下方。本发明还提出了一种形成这种半导体结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 成型 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍型半导体结构，其特征在于，包括：具有下部衬底和鳍片部的鳍型衬底；形成在鳍片部上的源区和漏区；形成在所述源区和漏区之间横跨在鳍片部上的栅极结构，栅极结构下方的鳍片部为沟道；形成在所述鳍片部两侧的浅沟道隔离；以及形成在所述鳍片部中的位于所述栅极结构下方、在沟道和下部衬底之间的隔离区；所述浅沟道隔离的上表面低于所述隔离区的上表面，所述隔离区的两侧具有回切区，所述栅极结构覆盖在所述回切区的表面所述鳍片部的顶面是圆滑的曲面，所述鳍片部顶面的宽度为1‑10纳米。
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