[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201410136424.0 | 申请日: | 2014-04-04 |
公开(公告)号: | CN104103618A | 公开(公告)日: | 2014-10-15 |
发明(设计)人: | 冈部康宽 | 申请(专利权)人: | 三垦电气株式会社 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L25/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的目的在于提供半导体装置,其抑制了在电感器中产生的辐射噪声的增加。该半导体装置(10)具有引线框架(RM);搭载于引线框架(RM)的主面侧(MF)的MIC(18);以紧贴的方式搭载于引线框架(RM)的背面侧(BF)的电感器(12);以及对引线框架(RM)、MIC(18)以及电感器(12)进行树脂密封的树脂体(14)。电感器(12)是强磁性体的八棱柱状芯,在与电感器(12)的轴(P)对应的位置配置MIC(18),在电感器(12)的端子(B、C)之间配置流过MIC(18)的主电流的配线。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,该半导体装置具有:引线框架;IC元件,其搭载于所述引线框架的主面侧;电感器,其搭载于所述引线框架的背面侧;以及树脂体,其对所述引线框架、所述IC元件以及所述电感器进行树脂密封,所述电感器与所述引线框架紧贴,所述电感器是强磁性体的八棱柱状芯或圆柱状芯,在与所述电感器的轴对应的位置配置所述IC元件,所述电感器与所述IC元件电连接,在所述电感器的端子之间配置有流过所述IC元件的主电流的配线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三垦电气株式会社,未经三垦电气株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410136424.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:引线框架及半导体封装体
- 下一篇:晶片封装体及其制造方法