[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201410136424.0 申请日: 2014-04-04
公开(公告)号: CN104103618A 公开(公告)日: 2014-10-15
发明(设计)人: 冈部康宽 申请(专利权)人: 三垦电气株式会社
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L25/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的在于提供半导体装置,其抑制了在电感器中产生的辐射噪声的增加。该半导体装置(10)具有引线框架(RM);搭载于引线框架(RM)的主面侧(MF)的MIC(18);以紧贴的方式搭载于引线框架(RM)的背面侧(BF)的电感器(12);以及对引线框架(RM)、MIC(18)以及电感器(12)进行树脂密封的树脂体(14)。电感器(12)是强磁性体的八棱柱状芯,在与电感器(12)的轴(P)对应的位置配置MIC(18),在电感器(12)的端子(B、C)之间配置流过MIC(18)的主电流的配线。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,该半导体装置具有:引线框架;IC元件,其搭载于所述引线框架的主面侧;电感器,其搭载于所述引线框架的背面侧;以及树脂体,其对所述引线框架、所述IC元件以及所述电感器进行树脂密封,所述电感器与所述引线框架紧贴,所述电感器是强磁性体的八棱柱状芯或圆柱状芯,在与所述电感器的轴对应的位置配置所述IC元件,所述电感器与所述IC元件电连接,在所述电感器的端子之间配置有流过所述IC元件的主电流的配线。
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