[发明专利]具有气隙的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410136470.0 | 申请日： | 2014-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN104347592B | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 廉胜振;林成沅;洪承希;李孝硕;李南烈 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;周晓雨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件包括：多个第一导电结构，其形成在衬底之上；第二导电结构，每个形成在第一导电结构中的相邻的第一导电结构之间；气隙，每个形成在第二导电结构与第二导电结构的相邻的第一导电结构之间；第三导电结构，每个覆盖气隙的一部分；以及覆盖结构，每个覆盖气隙的其它部分。 | ||
| 搜索关键词： | 有气 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：多个第一导电结构，其形成在衬底之上；第二导电结构，每个形成在相邻的第一导电结构之间；气隙，每个形成在所述第二导电结构与所述第二导电结构的相邻的第一导电结构之间；第三导电结构，每个接触并覆盖所述气隙的上部的一部分；以及覆盖结构，每个覆盖所述气隙的上部的其它部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410136470.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
