[发明专利]硼氮共掺纳米基定向金刚石薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201410138529.X | 申请日： | 2014-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN103938182A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 王亮;孙方宏;张文骅;沈彬;郭睿;张志明;郭松寿 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学;上海交友钻石涂层有限公司;苏州交钻纳米超硬薄膜有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 牛山;陈少凌 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硼氮共掺纳米基定向金刚石薄膜的制备方法；以热丝CVD装置为沉积设备，在传统的氢气与丙酮反应体系中加中含硼及含氮化合物，形成共掺杂体系，调节反应工艺参数，制备出纳米金刚石颗粒与定向金刚石颗粒共存的薄膜。该方法工艺流程简单，获得的薄膜具有比随机取向微米级金刚石薄膜平整的表面，耐磨损性高且均一，易抛光、内应力低以及膜基附着力高等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 硼氮共掺 纳米 定向 金刚石 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硼氮共掺纳米基定向金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：将预处理过的基体材料置于热丝CVD设备中，采用了硼氮共掺杂沉积工艺，在0.5kPa～1.5kPa的反应气压以及850～1000℃的基体温度下沉积，即可获得所述硼氮共掺纳米基定向金刚石薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
