[发明专利]具有非易失性存储器的集成电路系统及其制造方法

摘要

本申请公开了具有非易失性存储器的集成电路系统及其制造方法。一种集成电路系统，及其制造方法，包括具有地址开关的集成电路管芯；底部电极触点，其没有卤素成分，具有化学气相沉积或原子层沉积的特性，并且耦合到地址开关；直接在底部电极触点上的过渡材料层；及直接在过渡材料层上的顶部电极触点，用于在集成电路管芯上形成非易失性存储器阵列。

主权项

一种制造集成电路系统的方法，包括：提供具有地址开关的集成电路管芯；形成惰性的底部电极触点，所述底部电极触点至少具有氮化钛材料并且耦合到所述地址开关，其中使用前体通过化学气相沉积或原子层沉积过程形成所述底部电极触点，并且所述底部电极触点没有卤素成分；直接在底部电极触点上沉积过渡材料层，所述过渡材料层包括具有离子导电固态电解质性质的介电材料或金属氧化物材料中的至少一种；及直接在过渡材料层上沉积顶部电极触点，用于在集成电路管芯上形成非易失性存储器阵列，其中所述底部电极触点包括多个层，每个层都具有规定的原子组成，该规定的原子组成包括氮化钛、氮化硅钛、钨或者其组合。