[发明专利]光学临近修正方法在审
| 申请号： | 201410141022.X | 申请日： | 2014-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103869600A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 胡红梅 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种光学临近修正方法。修正方法包括：对掩模版图形的所有区域进行初次光学临近修正；根据所述初次光学临近修正中使用的修正模型，对所述掩模版图形中修正精确度要求较高的局部区域进行再次光学临近修正。本发明提高了光学临近修正OPC的精度和精确性，即使对于MEF值过高的图形，硅片上的线宽也不会出现巨大波动。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 临近 修正 方法 | ||
【主权项】：
一种光学临近修正方法，其特征在于，包括：对掩模版图形的所有区域进行初次光学临近修正；根据所述初次光学临近修正中使用的修正模型，对所述掩模版图形中修正精确度要求较高的局部区域进行再次光学临近修正。
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- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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