[发明专利]一种ECR电子照射密度控制碳膜中纳晶石墨烯尺寸的方法有效
| 申请号： | 201410142670.7 | 申请日： | 2014-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN103938170A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 刁东风;陈成;郭美玲;范雪 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学;深圳大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/30;C23C14/06 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 蔡和平 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ECR电子照射密度控制碳膜中纳晶石墨烯尺寸的方法，利用ECR等离子体加工系统，通过调节微波功率在160～400W范围内变化，可实现电子照射密度在30～120mA/cm2范围内变化。利用透射电子显微镜和拉曼光谱对不同电子照射密度下碳膜中纳晶石墨烯尺寸进行表征可得，当电子照射密度从30mA/cm2逐渐增大到120mA/cm2时，纳晶石墨烯平均尺寸从1.09nm逐渐增大到2.69nm。本发明提供的控制方法便于实现碳膜中纳晶石墨烯尺寸的精确控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ecr 电子 照射 密度 控制 碳膜中纳 晶石 尺寸 方法 | ||
【主权项】：
一种ECR电子照射密度控制碳膜中纳晶石墨烯尺寸的方法，其特征在于，包括以下步骤：1）首先，将p型Si（100）基片在丙酮与乙醇混合溶剂中超声波清洗，并自然晾干后装入真空腔中；经过机械泵和分子泵的二级抽真空，当系统真空度达到2×10‑4～4×10‑4Pa时，通入氩气，并使气压稳定在2×10‑2～6×10‑2Pa；然后，施加磁线圈电流产生磁场，并导入微波与磁场耦合产生等离子体环境，并稳定10～30分钟；2）镀膜前，使用氩离子对经过步骤1）处理的p型Si（100）基片表面进行清洗；然后接通靶材溅射偏压，使靶材中的碳原子在Si（100）基片表面沉积形成碳膜；与此同时接通基片电源，施加基片偏压，轰击基片表面形成电子照射；通过调节微波功率在160～400W范围内变化，可实现电子照射密度在30～120mA/cm2范围内变化。
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