[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410143763.1 | 申请日： | 2014-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN104103689B | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 全灿熙;权银景;金一龙;金汉求;徐宇镇;李起泰 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体器件及其制造方法。在一个实施方式中，半导体器件包括：至少一个有源鳍，从衬底突出；第一栅电极，交叉有源鳍；第一杂质区，形成在位于第一栅电极的第一侧的有源鳍上。第一杂质区的至少一部分形成在有源鳍上的第一外延层部分中。第二杂质区形成在位于第一栅电极的第二侧的有源鳍上。第二杂质区具有不形成在外延层中的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：至少一个有源鳍，从衬底突出；第一栅电极，交叉所述有源鳍；第一杂质区，形成在位于所述第一栅电极的第一侧的所述有源鳍上，所述第一杂质区的至少一部分形成在所述有源鳍上的第一外延层部分中；以及第二杂质区，形成在位于所述第一栅电极的第二侧的所述有源鳍上，所述第二杂质区在所述有源鳍的纵向方向上具有比所述第一杂质区大的宽度，所述第二杂质区包括第一部分和第二部分，所述第一部分形成在第二外延层部分中，所述第二部分没有形成在外延层中，其中所述第一部分的上表面和所述第二部分的上表面共面。
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