[发明专利]一种随机存储器位单元、随机存储器和电子芯片有效

专利信息
申请号: 201410145283.9 申请日: 2014-04-11
公开(公告)号: CN103928051B 公开(公告)日: 2017-06-06
发明(设计)人: 唐样洋;张臣雄 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: G11C11/419 分类号: G11C11/419
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 代理人: 申健
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明实施例提供一种随机存储器位单元、随机存储器和电子芯片,涉及存储领域,能够解决存储器可靠性和功耗的问题。所述随机存储器位单元包括至少一个电源、第一写入线、第二写入线、写入比特线、读取线、读取比特线、读取模块、非对称存储模块和导通模块。所述随机存储器由预设数量的上述随机存储器位单元组成,所述电子芯片包括所述随机存储器。本发明实施例用于优化随机存储器的可靠性和功耗。
搜索关键词: 一种 随机 存储器 单元 电子 芯片
【主权项】:
一种随机存储器位单元,其特征在于,所述随机存储器位单元包括:至少一个电源、第一写入线、第二写入线、写入比特线、读取线、读取比特线、读取模块、非对称存储模块和导通模块;其中,所述读取模块的数据端与所述读取比特线电连接,所述读取模块的控制端与所述读取线电连接,所述读取模块的读取端与所述非对称存储模块的输出端电连接;所述导通模块的数据端与所述写入比特线电连接,所述导通模块的第一控制端与所述第一写入线电连接,所述导通模块的第二控制端与所述第二写入线电连接,所述导通模块的写入端与所述非对称存储模块的输入端电连接;所述至少一个电源与所述非对称存储模块的供电接口电连接;所述非对称存储模块包括:第一反相器和第二反相器;所述第一反相器的输出端与所述第二反相器的输入端电连接,所述第二反相器的输出端与所述第一反相器的输入端电连接;其中,所述第二反相器内晶体管的宽长比均大于所述第一反相器内晶体管的宽长比。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华为技术有限公司,未经华为技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410145283.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top