[发明专利]一种超势垒整流器器件结构在审
| 申请号： | 201410145434.0 | 申请日： | 2014-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN103904106A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 沈健 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 401331 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明提供一种超势垒整流器器件结构，所述超势垒整流器器件结构采用沟槽型MOS结构作为场终止结构，所述沟槽型MOS结构包括沟槽、结合于所述沟槽表面的介质层、以及填充于沟槽内的多晶硅层。本发明通过在原有的超势垒整流器器件结构中增加沟槽型MOS结构作为场终止结构，可以进一步增加器件的反向击穿电压，降低反向漏电流，本发明可以满足更高的器件使用场合要求，而且结构简单，适用于各种电子设备的整流应用领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超势垒 整流器 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种超势垒整流器器件结构，其特征在于，所述超势垒整流器器件结构采用沟槽型MOS结构作为场终止结构，所述沟槽型MOS结构包括沟槽、结合于所述沟槽表面的介质层、以及填充于沟槽内的多晶硅层。
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