[发明专利]高可靠性表面安装器件在审

专利信息
申请号: 201410155091.6 申请日: 2014-04-18
公开(公告)号: CN103972272A 公开(公告)日: 2014-08-06
发明(设计)人: 罗伟忠;华国铭;张建平 申请(专利权)人: 苏州锝耀电子有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/36;H01L23/49
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215153 江苏省苏州市相*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开一种高可靠性表面安装器件,包括:二极管芯片;第一引线端头通过焊膏层与二极管芯片的正极面的连接,第二引线端头通过焊膏层与二极管芯片的负极面的连接,第一引线端头、第二引线端头与焊膏层接触的表面设有至少2个凹洞;二极管芯片包括重掺杂P型区、轻掺杂P型区、轻掺杂N型区和重掺杂N型区的P型单晶硅片衬底;轻掺杂N型区与重掺杂N型区接触的上部区域具有中掺杂N型区;轻掺杂P型区位于轻掺杂P型区边缘的四周区域具有中掺杂P型区。本发明大大降低整个器件的反向漏电流,避免了器件的局部温升,提高了器件耐高压性能性和可靠性;也防止发生移位、焊接封装后的二极管焊片偏心,提高了二极管的良品率和电性能,大大减低了环氧封装体与铜引线之间开裂。
搜索关键词: 可靠性 表面 安装 器件
【主权项】:
 一种高可靠性表面安装器件,其特征在于:包括:二极管芯片(1),其具有正极面和负极面;第一铜引线(2),此第一铜引线(2)一端为第一焊接区(21),此第一铜引线(2)另一端作为整流二极管器件的阳极端子区(22),阳极端子区(22)一端与第一焊接区(21)一端之间具有第一折弯区(23);第二铜引线(3),此第二铜引线(3)一端为第二焊接区(31),此第二铜引线(3)另一端作为整流二极管器件的阴极端子区(32),阴极端子区(32)一端与第二焊接区(31)一端之间具有第二折弯区(33);位于第一焊接区(21)另一端的第一引线端头(4)通过焊膏层(5)与所述二极管芯片(1)的正极面的连接,位于第二焊接区(31)另一端的第二引线端头(6)通过焊膏层(5)与所述二极管芯片(1)的负极面的连接,第一引线端头(4)、第二引线端头(6)与焊膏层(5)接触的表面设有至少2个凹洞(9);所述第一铜引线(2)的第一焊接区(21)、第二铜引线(3)的第二焊接区(31)中部均设有凸条(8);一环氧封装体(7)包覆所述二极管芯片(2)、第一焊接区(21)和第二焊接区(31),第一折弯区(23)、第二折弯区(33)分别位于环氧封装体(7)两侧,阳极端子区(22)、阴极端子区(32)位于环氧封装体(7)下方;所述二极管芯片(1)包括重掺杂P型区(11)、轻掺杂P型区(12)、轻掺杂N型区(13)和重掺杂N型区(14)的P型单晶硅片衬底(15),此轻掺杂N型区(13)与轻掺杂P型区(12)接触形成结接触面且其位于其正上方,重掺杂N型区(14)与轻掺杂N型区(13)接触并位于其正上方,重掺杂P型区(11)与轻掺杂P型区(12)接触并位于其正下方;重掺杂N型区(14)的中央区域覆盖作为负极的第一金属层(18),重掺杂P型区(11)下表面覆盖作为阳极的第二金属层(19);所述轻掺杂N型区(13)与重掺杂N型区(14)接触的上部区域且位于轻掺杂N型区(13)边缘的四周区域具有中掺杂N型区(11),此中掺杂N型区(11)的上表面与重掺杂N型区(14)的下表面接触;所述轻掺杂P型区(12)与重掺杂P型区(11)接触的下部区域且位于轻掺杂P型区(12)边缘的四周区域具有中掺杂P型区(24),此中掺杂P型区(24)的下表面与重掺杂P型区(11)的上表面接触。 
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