[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括：半导体基板，其具有第一面；体区，其位于半导体基板中，且与第一面相接；栅绝缘膜，其以与体区相接的方式设置在第一面上；栅电极，其位于栅绝缘膜上；第一绝缘体膜，其覆盖栅电极的侧面的至少一部分；接触区，其以与第一面相接的方式设置在体区内、且对第一面俯视观察时与栅电极不同的位置处；第二绝缘体膜，其包含与第一绝缘体膜的材料不同的材料，且位于体区、栅电极以及第一绝缘体膜上，并且在接触区上具有接触孔。

主权项

1.一种半导体装置，包括：半导体基板，其具有第一面；体区，其位于所述半导体基板中，且以与所述第一面相接的方式而设置；栅绝缘膜，其以与所述体区相接的方式而设置在所述第一面上；栅电极，其位于所述栅绝缘膜上；第一绝缘体膜，其覆盖所述栅电极的侧面的至少一部分；接触区，其以与所述第一面相接的方式设置在所述体区内、且对所述第一面俯视观察时与所述栅电极不同的位置处；第二绝缘体膜，其包含与所述第一绝缘体膜的材料不同的材料，且位于所述体区、所述栅电极以及所述第一绝缘体膜上，并且在所述接触区上具有接触孔，所述第一绝缘体膜的一部分与所述体区中的偏移扩散区接合。