[发明专利]芯片封装结构、制作方法及芯片封装基板有效
申请号: | 201410159581.3 | 申请日: | 2014-04-21 |
公开(公告)号: | CN105097558A | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 李嘉伟 | 申请(专利权)人: | 富葵精密组件(深圳)有限公司;臻鼎科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/60;H01L23/498 |
代理公司: | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人: | 哈达 |
地址: | 518103 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种芯片封装结构的制作方法,包括步骤:提供一承载板,在所述承载板至少一侧依次形成第一导电线路层、第一介电层、第二导电线路层,所述第一导电线路层及所述第二导电线路层通过多个第一导电柱相电连接;在所述第二导电线路层远离所述承载板的一侧形成第二介电层,所述第二介电层内形成有多个第二介电层开口,所述第二介电层开口内通过电镀形成有多个第二导电柱,其中,所述第二导电线路层与所述第二导电柱相电连接,所述第二导电柱远离所述第一介电层的表面与所述第二介电层的远离所述第一介电层的表面大致相齐平;去除所述承载板并焊接一芯片,从而形成所述芯片封装结构。本发明还涉及一种芯片封装基板及结构。 | ||
搜索关键词: | 芯片 封装 结构 制作方法 | ||
【主权项】:
一种芯片封装结构的制作方法,包括步骤:提供一承载板,在所述承载板至少一侧依次形成第一导电线路层、第一介电层、第二导电线路层,其中,所述第一介电层内形成有多个第一介电层开口,多个第一导电柱形成于所述第一介电层开口内,位于所述承载板同侧的所述第一导电线路层及所述第二导电线路层通过多个第一导电柱相电连接;在所述第二导电线路层远离所述承载板的一侧形成第二介电层,所述第二介电层内形成有多个第二介电层开口;电镀在所述第二介电层开口内形成多个第二导电柱,其中,所述第二导电线路层与所述第二导电柱相电连接,所述第二导电柱远离所述第一介电层的表面与所述第二介电层的远离所述第一介电层的表面大致相齐平;去除所述承载板;在每个所述第二导电柱远离所述第一导电线路层的表面形成一第一焊球;及在多个所述第一焊球表面焊接一芯片,使所述芯片与所述第二导电柱电连接,从而形成所述芯片封装结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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