[发明专利]一种像素表面平整度实现方法在审
| 申请号： | 201410160178.2 | 申请日： | 2014-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN103915333A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 杜寰 | 申请（专利权）人： | 上海联星电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;G02F1/1343;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于像素制造技术领域，公开了一种像素表面平整度实现方法，包括：硅衬底及集成电路器件制备步骤、PECVD（等离子增强化学气相淀积）方法生长介质步骤、铝布线步骤、溅射Ti/TiN和钨步骤；优选地，还包括CMP（化学机械抛光）步骤，保证硅片表面平整度，以及采用银来制备镜面反射电极。本发明的方法能够确保镜面反射电极制备之前的像素表面的平整度，用银代替铝制备镜面反射电极，提高了镜面反射电极反射率和抗氧化性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 像素 表面 平整 实现 方法 | ||
【主权项】：
一种像素表面平整度实现方法，其特征在于，包括：硅衬底及集成电路器件制备步骤、PECVD（等离子增强化学气相淀积）方法生长介质步骤、铝布线步骤、溅射Ti/TiN和钨步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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