[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201410160673.3 | 申请日： | 2014-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN105097484A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 韦庆松;于书坤 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;赵礼杰 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，通过在干法刻蚀形成用于容置锗硅层的沟槽的步骤之后、形成锗硅层的步骤之前增加刻蚀后处理（PET）的步骤，可以去除在干法刻蚀形成沟槽的过程中产生的含硅大分子，因而可以提高半导体器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成PMOS的伪栅极、伪栅极硬掩膜和偏移侧壁；步骤S102：在所述半导体衬底上形成锗硅遮蔽层，并在所述锗硅遮蔽层上形成覆盖其位于PMOS区以外的部分的光刻胶层；步骤S103：通过干法刻蚀在所述半导体衬底内形成位于所述PMOS的伪栅极两侧的碗状沟槽；步骤S104：进行刻蚀后处理以去除所述干法刻蚀过程中所产生的大分子；步骤S105：进行湿法刻蚀以在所述碗状沟槽的基础上形成Σ形沟槽；步骤S106：在所述Σ形沟槽内形成锗硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
