[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410160952.X | 申请日： | 2014-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN105006430B | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 彭及圣 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是有关于一种半导体元件及其制造方法。该方法包括以下步骤。在基底上形成含硅导体层。接着，在含硅导体层周围形成介电层。移除部分介电层，以暴露含硅导体层的第一侧壁。在含硅导体层的部分表面上形成遮蔽结构，遮蔽结构至少暴露出第一侧壁。在基底上形成金属层，以覆盖未被遮蔽结构覆盖的含硅导体层。进行金属硅化工艺，以形成硅化金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：在一基底上形成一含硅导体层；在该含硅导体层周围形成一介电层；移除部分该介电层，以暴露该含硅导体层的一第一侧壁；在该含硅导体层的部分表面上形成一遮蔽结构，该遮蔽结构至少暴露出该第一侧壁；在该基底上形成一金属层，以覆盖未被该遮蔽结构覆盖的该含硅导体层；以及进行一金属硅化工艺，以形成一硅化金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
