[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201410162956.1 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN104218099B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 藤井秀纪 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明得到一种半导体装置及其制造方法，其能够使ESD耐量提高，并且使对温度的灵敏度提高。在半导体衬底（1）的正面上形成有氧化膜（16）。在该氧化膜（16）上形成有温感二极管（17）。形成有从半导体衬底（1）的正面向内部延伸的沟槽（25）。在该沟槽（25）内隔着氧化膜（26）填入有沟槽电极（27）。沟槽电极（27）与温感二极管（17）连接。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化膜 半导体装置 二极管 沟槽电极 衬底 温感 半导体 内部延伸 灵敏度 内隔 填入 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体衬底；第1绝缘膜，其形成在所述半导体衬底的正面上；温感二极管，其形成在所述第1绝缘膜上；第2绝缘膜，其形成在从所述半导体衬底的所述正面向内部延伸的沟槽的内壁；以及沟槽电极，其在所述沟槽内形成于所述第2绝缘膜上，并与所述温感二极管连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410162956.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
