[发明专利]一种紫外发光二极管

摘要

本发明公开了一种紫外发光二极管，包括由下至上依次设置的衬底、AlN缓冲层、n型AlGaN层、第一金属层、多重量子阱层、第二金属层、电子阻挡层和p型层，在p型层的上表面的一部分区域设置一个p型金属电极，第一金属层设置在n型AlGaN层的上表面的一部分区域，在n型AlGaN层的上表面的另一部分区域设置一个n型金属电极。本发明采用将金属纳米粒子层制备于LED有源区的多量子阱两侧的独特结构，得以充分地利用等离子体激元效应，从而可以有效地增强深紫外LED的内量子效率，对制备高功率深紫外LED具有重要的意义。

主权项

一种紫外发光二极管，其特征在于：包括由下至上依次设置的衬底(1)、AlN缓冲层(2)、n型AlGaN层(3)、第一金属层(4)、多重量子阱层(5)、第二金属层(6)、电子阻挡层(7)和p型层(8)，在p型层(8)的上表面的一部分区域设置一个p型金属电极(9)，第一金属层(4)设置在n型AlGaN层(3)的上表面的一部分区域，在n型AlGaN层(3)的上表面的另一部分区域设置一个n型金属电极(10)。