[发明专利]层叠封装体及其制造方法有效
| 申请号： | 201410168415.X | 申请日： | 2014-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN104347593B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 金锺薰;裵汉儁 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;周晓雨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了层叠封装体。所述层叠封装体包括第一芯片和第二芯片。第一芯片包括：第一芯片本体、穿过第一芯片本体的第一穿通电极、以及设置在第一芯片本体的底表面上的绝缘层。第二芯片包括：第二芯片本体和设置在第二芯片本体的顶表面上的凸块。第一芯片和第二芯片垂直地层叠，使得凸块穿过绝缘层以穿入第一穿通电极，并且第二芯片本体的顶表面直接接触绝缘层。还提供了相关的制造方法、电子系统和存储卡。 | ||
| 搜索关键词： | 层叠 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种层叠封装体，包括：第一芯片；以及第二芯片，层叠在所述第一芯片上，其中，所述第一芯片和所述第二芯片具有相同的结构，所述第一芯片和所述第二芯片的每个包括芯片本体、穿过所述芯片本体的穿通电极、设置在所述芯片本体的底表面上的绝缘层和设置在所述芯片本体的顶表面上的凸块，其中，所述第二芯片的凸块穿过所述第一芯片的绝缘层以穿入所述第一芯片的穿通电极，以及其中，所述第一芯片的绝缘层完整覆盖在所述第二芯片的凸块之间的所述第二芯片的芯片本体的顶表面。
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