[发明专利]鳍片式场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201410169353.4 | 申请日： | 2014-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN105097686B | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 居建华;张帅;俞少峰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/336;H01L21/762;H01L29/78;H01L29/06;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 马景辉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种鳍片式场效应晶体管及其制造方法，制造方法包括以下步骤在半导体衬底上依次形成第一掩模层和第二掩模层；在第二掩模层上形成第三掩模层；对半导体衬底进行刻蚀，从而去除该区域中的第一掩模层和第二掩模层，并且在半导体衬底上的对应部分中形成第一沟槽；去除第三掩模层；对第一掩模层进行刻蚀，然后去除第二掩模层；对整个半导体衬底进行刻蚀，从而形成鳍片式场效应晶体管的鳍状件以及鳍状件之间的第二沟槽，同时第一沟槽被进一步加深使得第一沟槽深度大于第二沟槽的深度；形成鳍片式场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍片式 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍片式场效应晶体管的制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底上依次形成第一掩模层和图案化的第二掩模层；在第二掩模层上形成图案化的第三掩模层，其中第三掩模层的图案对应于鳍片式场效应晶体管的鳍状件；对半导体衬底上未受到第三掩模层保护的区域进行刻蚀，从而去除该区域中的第一掩模层和第二掩模层，并且在半导体衬底上的对应部分中形成第一沟槽；去除第三掩模层；对第一掩模层进行刻蚀，然后去除第二掩模层；对整个半导体衬底进行刻蚀，从而形成鳍片式场效应晶体管的鳍状件以及鳍状件之间的第二沟槽，同时第一沟槽被进一步加深使得第一沟槽深度大于第二沟槽的深度；形成鳍片式场效应晶体管，其中各鳍片式场效应晶体管之间通过第一沟槽中的电介质材料彼此隔离，鳍片式场效应晶体管中各个鳍状件之间通过第二沟槽中的电介质材料彼此隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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