[发明专利]磁性存储装置及方法有效
申请号: | 201410172835.5 | 申请日: | 2014-04-25 |
公开(公告)号: | CN105097007B | 公开(公告)日: | 2017-11-17 |
发明(设计)人: | 傅雅蓉;张树杰;赵俊峰;杨伟;林殷茵;杨凯 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司;复旦大学 |
主分类号: | G11C11/02 | 分类号: | G11C11/02 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种磁性存储装置及方法,磁性存储装置包括包含至少一个磁畴区的磁性存储轨道,用于存储写入的磁畴;第一写装置,用于在所述磁畴区写入磁畴;第二写装置,用于在所述磁畴区写入与所述第一写装置写入方向垂直的磁畴。能够实现多级存储,提高磁性存储装置的存储量。 | ||
搜索关键词: | 磁性 存储 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种磁性存储装置,其特征在于,包括:包含至少一个磁畴区的磁性存储轨道,用于存储写入的磁畴;第一写装置,用于在所述磁畴区写入磁畴;第二写装置,用于在所述磁畴区写入与所述第一写装置写入方向垂直的磁畴;脉冲电源,用于提供脉冲电流或脉冲场,驱动所述磁性存储轨道上的磁畴区的磁畴壁沿所述磁性存储轨道移动。
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